美国ABM正面对准光刻机



                        设备型号：ABM/6/350/NUV/DCCD/M


光学系统：

   曝光时间调解器：0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)
   365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环；
   声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标；
   有安全保护装置的温度及其气流传感器；
   全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度；
   波长滤片检查及安装装置
   抗衍射反射功能高效反光镜；
   二向色的防热透镜装置；
   防汞灯泄漏装置；
   配备蝇眼棱镜装置
   配备近紫外光源，
    --220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2
    --254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2
    --365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2
    --400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2

主要配置：

   6“，8”光源系统 
   可支持2“，3”，4“，6”，8“（圆/方片）及碎片光刻（支持特殊工艺卡盘设计）
   手动系统，半自动系统,
   支持电源350-2000 Watt
   支持深紫外近紫外波长（可选项）
   CCD或显微镜对准系统
 


主要性能指标：

   光强均匀性Beam Uniformity:：
    --<±1% over 2” 区域
    --<±2% over 4” 区域
    --<±3% over 6” 区域
   接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um
   接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：  0.5  um
   支持接近式曝光，特征尺寸CD：
    --0.8um  硬接触
    --1um    20 um 间距时
    --2um    50um 间距时
   正面对准精度±0.5um
   支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻，特征尺寸：100um-300um
   支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻
   支持真空、接近式、接触式曝光
   支持恒定光强或恒定功率模式

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