Glod Plating Station
金凸点电镀设备（RP-2/4系列） |
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Fountain Plating Technology Provides:
 Uniform plated heights - between 3-5% centre-to-edge uniformity over 4” wafer
4“wafer中心到边缘高度均匀性为3-5%
Fine grain deposits Bright gold deposit~0.5 μm/min plating rate
金凸点生长速度为0.5um/分钟
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For Optimization of Plating Parameters:
其他参数： |
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For Optimization of Plating Parameters
Adjustable distance between:
可调整距离
- Anode and cathode 阴极和阳极
- Height of anode above diffuser region 阳极以上扩散区域
- Gap between cup and wafer holder 杯与wafer hoder距离
Adjustable flow rate 可控流速
Adjustable temperature 可控温度
Adjustable constant current or constant voltage可控恒定电流或恒定电压
DC or (optional) pulse plating 可控电流电压或脉冲电镀（可选）
整流电源稳定通过wafer的电流无纹波现象
提供良好的温控均匀性，+/-1 degree C，保证电镀速率及颗粒大小的一致
提供工艺支持包括电镀液及其配方，并指导客户完成最好的工艺效果。
所有及材料及备件包括电镀槽、链接管路、泵、接口等均采用特殊抗腐蚀材
料制作，使用寿命长。
良好安全密封性和气密性，保证用户的安全。
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可适合各种尺寸WAFER镀金需要 |
  双槽（四槽）金凸点电镀设备 （并提供凸点制作各种化学材料配方） |
