 专注于真空薄膜领域
In Line Sputtering System 多腔室溅射设备 Co Sputtering System 共溅射系统
Ion Sputtering System 离子溅镀设备 Ultra high vacuum System 超高真空薄膜系统
PLD 激光脉冲沉积设备 Customer Design System 支持客户自定义薄膜系统
UHV PLD 超高真空脉冲激光镀膜系统
PLD溅镀系统优点：
借着连续溶化混杂的靶，可以十分容易地制造不同物质的多层膜；透过控制脉冲的数量，可以精密调节薄膜厚度至单原子层；最重要的特色是沉积膜保留了靶的化学计量成分。 
PLD 400
Plused Laser Deposition System
超高真空脉冲激光镀膜设备
适用材料
高温超导、记忆性材料、氧化物半导体材料、铁磁性材料三五族材料
 High K Oxide material:Gd203,HrO2,HfO2,LaALO3,SrTIO2,etc.
High Tc superconductors:YBCO
RAM potential material:TiO2,BaTiO3,etc.
Oxide Semiconductor:ZnO/ZnMgO,Cu2O,CuAlo3,etc.
Ferroelectric oxide.
Ⅲ-Nitride:AIN InN,GaN.
Advanced material development
 
Laser Plume 激光羽烟 ProcessChamber 反应舱
设备型号及规格
衬底尺寸1", 2"
靶材数量1-4
真空度< 5*10-9 Torr
PC控制系统
加热器温度400℃-1000℃（由工艺决定）
预真空式
APC自动压力控制系统
可选Scanning-Laser-Beam delivery 扫描激光束可选
可选离子源辅助溅射可选
可选反射高能电子衍射（Reflection high-energy electron diffraction）
可选Wafer自动传输
可选Shutter 快门功能
单靶PLD沉积系统 PLD 200
详细信息请联系：
 电话: 86-10-87721612,87721672
传真: 86-10-87721672
 tom@hacori.com,何先生 |
