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当前位置:首页 > 美国ABM光刻机 > ABM双面对准光刻机

 
截止到2008年1月,ABM公司在世界范围售出了500多台光刻机,50多台单独曝光系统。著名的客户包括美国航天局NASA和INTEL、哈佛大学、LG、美国海军实验室、菲利普、惠普、3M等,ABM在中国各地也拥有不同领域的客户,包括众多的工厂、知名大学和研究所等。
 
美国ABM双面对准光刻机



                     设备型号ABM/6/350/NUV/DCCD/BSV/M

光学系统:

 曝光时间调解器:0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)
 365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环;
 声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标;
 有安全保护装置的温度及其气流传感器;
 全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度;
 波长滤片检查及安装装置
 抗衍射反射功能高效反光镜;
 二向色的防热透镜装置;
 防汞灯泄漏装置;
 配备蝇眼棱镜装置
 配备近紫外(或深紫外)光源,
    --220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2
    --254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2
    --365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2
    --400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2


 

 

背后对准测试1:
3um光刻胶套刻至5umAl线内

 背后对准测试2:
硅片套刻金属10um对准标记

主要配置:

 6“,8”光源系统 
 可支持2“,3”,4“,6”,8“(圆/方片)及碎片光刻 
 手动系统,半自动系统
 支持电源350-2000 Watt
 支持深紫外近紫外波长(可选项)
 支持背后对准及MEMS工艺要求
 CCD或显微镜对准系统




主要性能指标:
 光强均匀性Beam Uniformity::
    --<±1% over 2” 区域 
    --<±2% over 4” 区域
    --<±3% over 6” 区域

 
接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV):0.5 um
 接触式样曝光特征尺寸CD(深紫外DUV):0.35 um
 
支持接近式曝光,特征尺寸CD:
    --0.8um  硬接触
    --1um    20um 间距时
    --2um    50um 间距时
 
正面对准精度 ± 0.5um
 背面对准精度±1um--±2um(Depends on user)
 
支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻,特征尺寸:100um-300um
 支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻
 支持真空、接近式、接触式曝光
 支持恒定光强或恒定功率模式



下载设备资料

详细信息请联系:
 
电话: 86-10-87721612,87721672
传真: 86-10-87721672
 
tom@hacori.com,何先生

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